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JMTG28DN10D

更新时间： 2024-11-27 14:52:23

品牌	Logo	应用领域
捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	356K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTG28DN10D 数据手册

JMTG28DN10D

Description

JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 100V,4.5A

 Load Switch

R_DS(ON)< 295mΩ @ V_GS=10V

 PWM Application

 Power management

R_DS(ON)< 330mΩ @ V_GS=4.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

PDFN5x6-8L-D

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

(PCS)

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

G28DN10D

JMTG28DN10D

TAPING

PDFN5x6-8L-D

13inch

2500

25000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_DSS

Parameter

Max.

100

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±20

T_C= 25℃

4.5

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

2.9

I_DM

EAS

P_D

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

0.6

T_C= 25℃

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R_θJC

12.5

-55 to +150

℃/W

℃

T_J, T_STG

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

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