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JMTJ11DN10A

更新时间： 2024-11-27 14:48:39

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	310K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTJ11DN10A 数据手册

JMTJ11DN10A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 100V, 3A

 Load Switch

R_DS(ON)<115mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

 Power Management

R_DS(ON)<127mΩ @ V_GS= 4.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead Free

SOT-23-3L top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(pcs)

Per Carton

Device Marking

Device

Outline

Package

Reel Size

(pcs)

10100

JMTJ11DN10A

TAPING

SOT-23-3L

7”

3000

120000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

100

Gate-Source Voltage

±20

T_A= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100℃

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

I_DM

P_D

T_A= 25℃

1.38

℃/W

℃

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R_θJA

T_J, T_STG

-55 to +150

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Version :1.1

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