Datasheet > JANTX2N3716

JANTX2N3716

更新时间： 2024-11-10 22:57:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTX2N3716 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	TO-204AA, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	7.83
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz

JANTX2N3716 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 408

Devices

Qualified Level

JAN

2N3715

2N3716

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Symbol 2N3715

Units

Vdc

Adc

Ratings

2N3716

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

100

7.0

4.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= 25⁰C

@ T_C=100⁰C

5.0

85.7

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Symbol

Max.

1.17

Unit

TO-3* (TO-204AA)

⁰C/W

qJC

1) Derate linearly 28.57 mW/⁰C for T_A>25⁰C

2) Derate linearly 0.857 W/⁰C for T_C>100⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N3715

2N3716

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 80 Vdc

V_CB= 100 Vdc

mAdc

2N3715

2N3716

I_CBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

V_EB= 7.0 Vdc

1.0

mAdc

I_EBO

I_CEX

Collector-Emitter Cutoff Current

V_BE= 1.5 Vdc, V_CE= 60 Vdc

V_BE= 1.5 Vdc, V_CE= 80 Vdc

1.0

2N3715

2N3716

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JANTX2N3716 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N3715	MICROSEMI	完全替代	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3716	MICROSEMI	完全替代	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3715	MICROSEMI	类似代替	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N3716相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N3735	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JANTX2N3735L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-5VAR
JANTX2N3737	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-46
JANTX2N3737UB	ETC	获取价格	BJT
JANTX2N3739	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| TO-66
JANTX2N3740	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3741	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3743	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/397
JANTX2N3743U4	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JANTX2N3749	MICROSEMI	获取价格	PNP POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N3716相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTX2N3716

JANTX2N3716 技术参数

JANTX2N3716 数据手册

JANTX2N3716 替代型号

与JANTX2N3716相关器件

与JANTX2N3716相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTX2N3716

JANTX2N3716 技术参数

JANTX2N3716 数据手册

JANTX2N3716 替代型号

与JANTX2N3716相关器件

与JANTX2N3716相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？