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JANTX2N3765 PDF预览

JANTX2N3765

更新时间： 2024-11-03 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N3765 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-206AB
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：115 ns最大开启时间（吨）：43 ns
Base Number Matches：1

JANTX2N3765 数据手册

 浏览型号JANTX2N3765的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 396  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
2N3762  
2N3762L  
2N3763  
2N3763L  
2N3764  
2N3765  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
2N3762* 2N3763*  
Symbol  
Unit  
2N3764  
2N3765  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
40  
60  
TO-39* (TO-205AD)  
5.0  
1.5  
Vdc  
2N3762, 2N3763  
Adc  
2N3762* 1 2N3764 2  
2N3763*  
2N3765  
Total Power Dissipation @ TA = +250C  
Operating & Storage Junction Temp. Range  
1.0  
0.5  
W
PT  
-55 to +200  
0C  
Top, T  
stg  
TO-5*  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
2N3762L, 2N3763L  
Symbol  
Max.  
2N3762*  
2N3763*  
Unit  
2N3764  
2N3765  
88  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
60  
0C/W  
R
qJC  
TO-46* (TO-206AB)  
2N3764, 2N3765  
*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices  
1) Derate linearly at 5.71 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly at 2.86 mW/0C for TA > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10 mAdc  
40  
60  
Vdc  
2N3762, 2N3764  
2N3763, 2N3765  
V(BR)  
CEO  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 20 Vdc  
VCB = 30 Vdc  
VCB = 40 Vdc  
VCB = 60 Vdc  
100  
100  
10  
2N3762, 2N3764  
2N3763, 2N3765  
2N3762, 2N3764  
2N3763, 2N3765  
hAdc  
mAdc  
ICBO  
10  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

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JANTX2N3765 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N3763L MICROSEMI

类似代替

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,

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