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JANTX2N3767

更新时间： 2024-11-04 00:01:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	57K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N3767 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-213AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/518C	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz

JANTX2N3767 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 518

Devices

Qualified Level

JAN

2N3766

2N3767

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N3766 2N3767 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

100

6.0

2.0

4.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

P_T

-65 to +200

⁰C

Operating & Storage Temperature Range

T_op_,T

stg

TO-66*

(TO-213AA)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 143 mW/⁰C between T_C= +25⁰C and T_C= +200⁰C

7.0

qJC

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N3766

2N3767

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc

V_CE= 80 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 100 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 80 Vdc

500

2N3766

2N3767

I_CEO

mAdc

2N3766

2N3767

I_CEX

2N3766

2N3767

I_CBO

mAdc

V_CB= 100 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 6.0 Vdc

I_EBO

500

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N3767 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N3767	CENTRAL	功能相似	Power Transistors
2N3767	SEME-LAB	功能相似	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package

与JANTX2N3767相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N3771	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3772	MICROSEMI	获取价格	NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3791	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3792	MICROSEMI	获取价格	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3810	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANTX2N3810L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTX2N3810U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTX2N3811	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANTX2N3811L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANTX2N3811U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78

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