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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-63 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 4 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N3846 | MICROSEMI |
功能相似  |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3847 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JANTX2N3866 | RAYTHEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-39, |
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| JANTX2N3866A | RAYTHEON |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-39, |
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| JANTX2N3866AUB | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| JANTX2N3866UB | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| JANTX2N3867 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| JANTX2N3867S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| JANTX2N3868 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| JANTX2N3868S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| JANTX2N3879 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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