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JANTX2N3902 PDF预览

JANTX2N3902

更新时间： 2024-02-10 22:04:39
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17页 82K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-3

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JANTX2N3902 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3.5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：O-MBFM-P2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/371E
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

JANTX2N3902 数据手册

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The documentation and process conversion measures  
necessary to comply with this revision shall  
be completed by 22 October 1999  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/371D  
23 July 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/371C  
27 March 1995  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH-POWER  
TYPES 2N3902 AND 2N5157  
JAN AND JANTX  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN silicon, high-power transistors. Two levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (similar to TO-3), (see 3.3).  
1.3 Maximum ratings.  
Type  
P
1/  
P
2/  
V
V
V
I
I
T
and T  
°C  
R
JC  
Q
T
T
CBO  
CEO  
EBO  
B
C
J
STG  
T
= +25 C  
T
= +75°C  
°
A
C
W
W
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
°C/W  
2N3902  
2N5157  
5.0  
5.0  
100  
100  
700  
700  
400  
500  
5.0  
6.0  
2.0  
2.0  
3.5  
3.5  
-65 to +200  
-65 to +200  
1.25  
1.25  
1/ Derate linearly 29 mW/°C above T = +25°C.  
A
2/ Derate linearly 0.8 W/°C above T = +75°C.  
C
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, 3990 East Broad St., Columbus, OH  
43216-5000, by using the addressed Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this  
document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...17

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与JANTX2N3902相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N3960 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | TO-18
JANTX2N3960UB MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3
JANTX2N3996 MICROSEMI

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 		NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3997 MICROSEMI

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 		NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3997 APITECH

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 4
JANTX2N3998 MICROSEMI

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 		NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3998 APITECH

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANTX2N3999 APITECH

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3
JANTX2N3999 MICROSEMI

获取价格

 		NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JANTX2N4026 MOTOROLA

获取价格

 		1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, TO-206AA, 3 PIN

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