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JANTX2N3998

更新时间： 2024-02-04 17:48:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
3页 59K
描述
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N3998 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-111
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.23
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-59
JESD-30 代码：O-MUPM-X3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/374
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTX2N3998 数据手册

 浏览型号JANTX2N3998的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX2N3998的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA  
NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 374  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N3996  
2N3997  
2N3998  
2N3999  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
Value  
80  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
100  
8.0  
0.5  
5.0  
10(1)  
2.0  
30  
Collector Current  
Adc  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C (2)  
@ TC = +1000C (3)  
W
0C  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
-65 to +200  
TJ, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
TO-111*  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
3.33  
R
qJC  
1) This value applies for tp £ 1.0 ms, duty cycle £ 50%  
2) Derate linearly 11.4 mW/0C for TA > +250C  
3) Derate linearly 300 mW/0C for TC > +1000C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 50 mAdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10 mAdc  
80  
Vdc  
Vdc  
V(BR)  
CEO  
100  
V(BR)  
CBO  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 60 Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 80 Vdc, VBE = 0  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 5.0 Vdc  
10  
ICEO  
ICES  
mAdc  
hAdc  
200  
200  
10  
hAdc  
mAdc  
IEBO  
VEB = 8.0 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N3999 APITECH

获取价格

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