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JANTX2N3867

更新时间： 2024-11-26 22:57:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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JANTX2N3867 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.26
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/350
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	600 ns
最大开启时间（吨）：	100 ns

JANTX2N3867 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 350

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N3867

2N3867S

2N3868

2N3868S

MAXIMUM RATINGS

2N3867 2N3868

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N3867S

2N3868S

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Unit

Vdc

Adc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.0

3.0

TO-5*

2N3867, 2N3868

Collector Current -- Continuous

Total Power Dissipation

@ T_A= 25⁰C⁽¹⁾

1.0

-55 to +200

⁰C

P_T

@ T_C= 25⁰C⁽²⁾

Operating & Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

T_OP,T_STG

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-39*

(TO-205AD)

2N3867S, 2N3868S

Thermal Resistance, Junction-to-Case

17.5

qJC

1) Derate linearly 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 57.1 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 100 mAdc

2N3867, S

2N3868, S

V_(BR)

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 20 mAdc

2N3867, S

2N3868, S

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Vdc

V_(BR)

EBO

4.0

Collector-Emitter Cutoff Current

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 40 Vdc

V_EB= 2.0 Vdc, V_CE= 60 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 40 Vdc

V_CB= 60 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4 Vdc

mAdc

1.0

2N3867, S

2N3868, S

I_CEX

mAdc

100

2N3867, S

2N3868, S

I_CBO

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N3902	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-3
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JANTX2N3997	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
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