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JANTX2N3792

更新时间： 2024-11-30 22:57:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N3792 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	SIMILAR TO TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.23
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/379F	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz

JANTX2N3792 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 379

Devices

Qualified Level

JAN

2N3791

2N3792

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Symbol 2N3791

2N3792

Ratings

Unit

Vdc

Adc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

7.0

4.0

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽²⁾

5.0

⁰C

85.7

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

TO-3*

(TO-204AA)

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.17

qJC

1) Derate linearly @ 28.57 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly @ 0.857 mW/⁰C for T_C> +100⁰C

*See Appendix A for

Package Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N3791

2N3792

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 70 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

5.0

mAdc

2N3791

2N3792

I_CES

5.0

2N3791

2N3792

I_CEX

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JANTX2N3792 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N3792	MICROSEMI	完全替代	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N3792	MICROSEMI	完全替代	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
2N3792	MICROSEMI	完全替代	PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N3792相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N3810	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANTX2N3810L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTX2N3810U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTX2N3811	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANTX2N3811L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,
JANTX2N3811U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-78
JANTX2N3821	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
JANTX2N3821	SOLITRON	获取价格	N-CHANNEL JFETS - 1
JANTX2N3822	MICROSEMI	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
JANTX2N3822	MOTOROLA	获取价格	VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, SIMILAR TO TO-72, 4 PIN

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