2N3763

更新时间： 2024-01-23 04:12:09

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	64K
描述
PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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2N3763 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	4 W
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	115 ns
最大开启时间（吨）：	11.5 ns	VCEsat-Max：	0.9 V
Base Number Matches：	1

2N3763 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 396

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N3762

2N3762L

2N3763

2N3763L

2N3764

2N3765

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N3762* 2N3763*

Symbol

Unit

2N3764

2N3765

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO-39* (TO-205AD)

5.0

1.5

Vdc

2N3762, 2N3763

Adc

2N3762* ¹2N3764 ²

2N3763*

2N3765

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C

Operating & Storage Junction Temp. Range

1.0

0.5

P_T

-55 to +200

⁰C

T_op_,T

stg

TO-5*

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

2N3762L, 2N3763L

Symbol

Max.

2N3762*

2N3763*

Unit

2N3764

2N3765

Thermal Resistance Junction-to-Case

⁰C/W

qJC

TO-46* (TO-206AB)

2N3764, 2N3765

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly at 5.71 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly at 2.86 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 10 mAdc

Vdc

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 20 Vdc

V_CB= 30 Vdc

V_CB= 40 Vdc

V_CB= 60 Vdc

100

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

2N3762, 2N3764

2N3763, 2N3765

hAdc

mAdc

I_CBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2N3763L	MICROSEMI	PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N3763LE3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, T	获取价格
2N3763LEADFREE	CENTRAL	暂无描述	获取价格
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