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JANSG2N2221AUA

更新时间： 2024-11-18 20:03:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	134K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC PACKAGE-4

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JANSG2N2221AUA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.1.A
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-CDSO-N4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/255
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

JANSG2N2221AUA 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/255

DEVICES

LEVELS

JANSM – 3K Rads (Si)

JANSD – 10K Rads (Si)

JANSP – 30K Rads (Si)

JANSL – 50K Rads (Si)

JANSR – 100K Rads (Si)

JANSF – 300K Rads (Si)

JANSG – 500K Rads (Si)

JANSH – 1MEG Rads (Si)

2N2221A

2N2222A

2N2221AL

2N2221AUA

2N2221AUB

2N2221AUBC

2N2222AL

2N2222AUA

2N2222AUB

2N2222AUBC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Vdc

6.0

Vdc

Collector Current

800

mAdc

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C

TO-18 (TO-206AA)

2N2221A, 2N2222A

2N2221A, L

2N2222A, L

0.5

0.65

0.50

P_T

2N2221AUA

2N2222AUA

2N2221AUB, UBC

2N2222AUB, UBC

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Max.

Unit

4 PIN

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

2N2221AUA, 2N2222AUA

2N2221A, L

2N2221AUA

2N2221AUB, UBC

2N2222A, L

2N2222AUA

2N2222AUB, UBC

325

210

325

°C/W

R_θJA

1. Derate linearly 3.08 mW/°C above T_A> +37.5°C

2. Derate linearly 4.76 mW/°C above T_A> +63.5°C

3 PIN

2N2221AUB, 2N2222AUB

2N2221AUBC, 2N2222AUBC

(UBC = Ceramic Lid Version)

T4-LDS-0042 Rev. 2 (080857)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANSG2N2221AUB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
JANSG2N2221AUBC	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
JANSG2N2222A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JANSG2N7261	INFINEON	获取价格	Rad hard, 100V, 8A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-205AF package - TO-205AF, 500 kra
JANSG2N72610U	INFINEON	获取价格	8A, 100V, 0.185ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, LCC-18
JANSG2N7261U	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFCACE MOUNT(LCC-18)
JANSG2N7262	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 5.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-205AF package - TO-205AF, 500 k
JANSG2N7262U	INFINEON	获取价格	Rad hard, 200V, 5.5A, single, N-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC package - 18-pin LCC,
JANSG2N7268	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
JANSG2N7268U	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

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