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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 雪崩能效等级（Eas）： | 240 mJ |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.36 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N15 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 15 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/601 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANSG2N7268 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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| JANSG2N7268U | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| JANSG2N7269 | INFINEON |
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Rad hard, 200V, 26A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 500 kr |
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| JANSG2N7269U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANSG2N7270 | INFINEON |
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Rad hard, 500V, 11A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-254AA package - TO-254AA, 500 kr |
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| JANSG2N7270U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANSG2N7281 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANSG2N7380 | INFINEON |
获取价格 |
Rad hard, 100V, 14.4A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-257AA package - TO-257AA, 500 |
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| JANSG2N7381 | ETC |
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200V 600kRad Hi-Rel Single N-Channel TID Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
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| JANSG2N7394 | INFINEON |
获取价格 |
Rad hard, 60V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 500 kra |
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