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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | SIMILAR TO TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/502D | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6059 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Meta |
|
| JAN2N6193 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, T |
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| JAN2N6211 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6212 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6213 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6249 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6249T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
|
| JAN2N6250 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6250T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 275V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-254AA, TO-2 |
|
| JAN2N6251 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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