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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.27 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/177F |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1131L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1132 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N1132 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
| JAN2N1132A | MOTOROLA |
获取价格 |
600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
|
| JAN2N1132L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1165 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1183 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1183A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1183B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1184 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
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