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JAN2N1183A

更新时间: 2024-02-28 00:26:01
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 666K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8

JAN2N1183A 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/143B
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:GERMANIUM标称过渡频率 (fT):0.5 MHz
Base Number Matches:1

JAN2N1183A 数据手册

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