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JAN2N1358

更新时间: 2024-02-19 01:54:30
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其他 - ETC 晶体晶体管
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9页 576K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36

JAN2N1358 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-36
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.43Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):15 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-36
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:95 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/122C子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):0.1 MHzBase Number Matches:1

JAN2N1358 数据手册

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