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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JAN2N1613L
JAN2N1613L PDF预览

JAN2N1613L

更新时间： 2024-02-17 14:20:57
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 228K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N1613L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-5
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.25
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JAN2N1613L 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/181  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N718A  
2N1613  
2N1613L  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Min.  
30  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
75  
Vdc  
7.0  
500  
Vdc  
mAdc  
TO-18 (TO-206AA)  
2N718A  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C  
2N718A  
2N1613, L  
0.5  
0.8  
PT  
W
Total Power Dissipation  
@ TC = +25°C  
2N718A  
2N1613, L  
1.8  
3.0  
PT  
W
°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
Thermal Resistance, Junction-to-Case 2N718A  
2N1613, L  
97  
58  
°C/W  
(1) Derate linearly at 4.57 mW/°C for 2N1613, L and 2.85mW/°C for 2N718A for TA > +25°C  
(2) Derate linearly at 17.2 mW/°C for 2N1613, L and 10.3mW/°C for 2N718A for TC > +25°C  
TO-39 (TO-205AD)  
2N1613  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 100µAdc  
V(BR)CEO  
V(BR)CER  
30  
50  
Vdc  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 100µAdc, RBE = 10Ω  
Collector-Base Cutoff Current  
10  
10  
ηAdc  
µAdc  
V
CB = 60Vdc  
ICBO  
VCB = 75Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
TO-5  
2N1613L  
10  
10  
ηA dc  
µAdc  
V
V
EB = 5.0Vdc  
EB = 7.0Vdc  
IEBO  
T4-LDS-0200 Rev. 1 (110597)  
Page 1 of 4  
1234

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JAN2N1613L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N1613L MICROSEMI

完全替代

 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
2N1613L MICROSEMI

完全替代

 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N1613 MICROSEMI

类似代替

 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N1651 ETC

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JAN2N1652 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41
JAN2N1653 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41
JAN2N1711 MICROSEMI

获取价格

 		NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N1711 RAYTHEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JAN2N1711S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
JAN2N1714 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5
JAN2N1714S MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1715 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5
JAN2N1715S MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin

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