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JAN2N1711S PDF预览

JAN2N1711S

更新时间： 2024-01-20 15:30:08
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其他 - ETC 晶体晶体管
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11页 59K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39

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JAN2N1711S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-5
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/225F表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JAN2N1711S 数据手册

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The documentation and process  
conversion measures necessary to  
comply with this revision shall be  
completed by 25 September 1999.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/225F  
25 June 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/225E  
15 April 1994  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON,  
TYPES 2N1711, 2N1711S, 2N1890, 2N1890S,  
JAN AND JANTX  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power transistors. Two levels of product  
assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See 3.3 (similar to TO-5).  
1.3 Maximum ratings.  
Type  
1/  
P
2/  
P
3/  
V
CBO  
V
EBO  
I
C
V
T and T  
J STG  
T
T
CER  
T
= +25°C  
T
= +25°C  
R
= 10 W  
BE  
C
A
W
W
V dc  
V dc  
mA dc  
V dc  
°C  
2N1711  
2N1890  
3.0  
3.0  
0.8  
0.8  
75  
100  
7
7
500  
500  
50  
80  
-65 to +200  
-65 to +200  
1/ Also applies to the corresponding "S" suffix device.  
2/ Derate linearly at 17.2 mW/°C for T > +25°C.  
C
3/ Derate linearly at 4.57 mW/°C for T > +25°C.  
A
1.4 Primary electrical characteristics.  
Limits  
h
FE1  
1/  
h
FE2  
1/  
|h |  
fe  
V
CE(SAT)  
f = 20 MHz  
2N1711 2/  
2N1890 2/  
= 50 mA dc  
C
V
= 10 V dc  
V
= 10 V dc  
CE  
CE  
V
I
= 10 V dc  
I
= 150 mA dc  
= 50 mA dc  
V dc  
I
I
CE  
I
C
= 10 mA dc  
I
C
= 150 mA dc  
C
= 50 mA dc  
I
= 5.0 mA dc  
V dc  
C
B
B
Min  
Max  
20  
100  
300  
3.5  
12  
0.2  
1.5  
0.2  
1.2  
1/ Pulsed (see 4.5.1).  
2/ Also applies to the corresponding "S" suffix device.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad St., Columbus, OH  
43216-5000, by using the addressed Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this  
document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...11

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与JAN2N1711S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N1714 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5
JAN2N1714S MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1715 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5
JAN2N1715S MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin
JAN2N1716 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1716S MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1717 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5
JAN2N1717S MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin
JAN2N1722 MICROSEMI

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 		NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR
JAN2N1724 MICROSEMI

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 		NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR

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