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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.75 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/263A |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 16 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1715S | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| JAN2N1716 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| JAN2N1716S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
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| JAN2N1717 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N1717S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| JAN2N1722 | MICROSEMI |
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NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N1724 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
|
| JAN2N174 | ETC |
获取价格 |
GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| JAN2N174A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
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| JAN2N1771A | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4700mA I(T), 50V V(DRM) |
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