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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1890S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-39 |
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| JAN2N1893 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N1893 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N1893S | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N1909 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
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| JAN2N1914 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
|
| JAN2N1915 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 70000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Ele |
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| JAN2N2023 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T |
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| JAN2N2025 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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| JAN2N2026 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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