JAN2N1872A

更新时间： 2024-09-30 22:29:27

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JAN2N1872A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	100 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-9	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	20 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1250 A
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1.9625 A
参考标准：	MIL	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	100 V	重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N1874A	MICROSEMI	获取价格	SCRs 1.25 Amp, Planear
JAN2N1890	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N1890	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JAN2N1890S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-39
JAN2N1893	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JAN2N1893	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N1893S	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N1909	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T
JAN2N1914	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,
JAN2N1915	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 70000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Ele