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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/263A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 16 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1717S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin |
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| JAN2N1722 | MICROSEMI |
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NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N1724 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N174 | ETC |
获取价格 |
GERMANIUM PNP TRANSISTORS |
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| JAN2N174A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
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| JAN2N1771A | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 4700mA I(T), 50V V(DRM) |
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| JAN2N1772A | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 7.38A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, SIMILAR |
|
| JAN2N1774A | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4700mA I(T), 200V V(DRM) |
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| JAN2N1792 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 70000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Eleme |
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| JAN2N1795 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 70000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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