JAN2N1893

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
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2页	55K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N1893 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SIMILAR TO TO-5, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/182F	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JAN2N1893 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 182

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

JANTXV

2N1893

2N1893S

2N720A

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

V_CER

I_C

All Devices

Units

Vdc

Collector-Base Voltage

120

Vdc

7.0

Vdc

Emitter-Base Voltage

TO-18 (TO-206AA)*

2N720A

100

500

Vdc

Collector-Emitter Voltage (R_BE= 10 W)

Collector Current

mAdc

2N720A 2N1893, S

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

0.5

1.8

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

srg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol 2N720A 2N1893, S Unit

97 58

⁰C/W

TO-5*

2N1893, 2N1893S

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

1) Derate linearly 2.86 mW/⁰C for 2N720A, 4.57 mW/⁰C for 2N1893, S T_A> 25⁰C

2) Derate linearly 10.3 mW/⁰C for 2N720A, 17.2 mW/⁰C for 2N1893, S T_C> 25⁰C

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 30 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc, R_BE= 10 W

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 120 Vdc

Vdc

V_(BR)

CEO

V_(BR)

CER

100

mAdc

hAdc

I_CBO

V_CB= 90 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 7.0 Vdc

V_EB= 5.0 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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JAN2N1914	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,
JAN2N1915	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 70000mA I(T), 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Ele
JAN2N2023	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 25V V(DRM), 25V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, T
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