JAN2N2219

更新时间： 2024-11-18 22:29:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

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JAN2N2219 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/251
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	40 ns	Base Number Matches：	1

JAN2N2219 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 251

Devices

Qualified Level

JAN

2N2218

2N2218A

2N2218AL

2N2219

2N2219A

2N2219AL

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N2218 2N2218A; L

2N2219 2N2219A; L

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO- 39* (TO-205AD)

2N2218, 2N2218A

2N2219, 2N2219A

5.0

6.0

Vdc

800

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temp. Range

-55 to +200

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

TO-5*

2N2218AL,

2N2219AL

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C above T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 17.0 mW/⁰C above T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

V_(BR)CEO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

V_EB= 6.0 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

All Types

mAdc

hAdc

I_EBO

V_EB= 4.0 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 50 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N2219 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N2219	CENTRAL	功能相似	30V,800mA,800mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current
2N2219A	MICROSEMI	功能相似	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

与JAN2N2219相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N2219A	MICROSEMI	获取价格	SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
JAN2N2219A	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JAN2N2219AL	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N2219L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5AA,
JAN2N2221A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2221AL	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2221AUA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SMT
JAN2N2221AUB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| CHIP
JAN2N2222A	MICROSEMI	获取价格	SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
JAN2N2222A	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

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