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JAN2N2150

更新时间: 2024-11-28 09:41:15
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美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 65K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin, TO-111, 3 PIN

JAN2N2150 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-111包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.44最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-111
JESD-30 代码:O-MUPM-X3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON

JAN2N2150 数据手册

  

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