JAN2N2219A

更新时间： 2024-10-03 22:29:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON

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JAN2N2219A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.48
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-205AD
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/251	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

JAN2N2219A 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 251

Devices

Qualified Level

JAN

2N2218

2N2218A

2N2218AL

2N2219

2N2219A

2N2219AL

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N2218 2N2218A; L

2N2219 2N2219A; L

Symbol

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

TO- 39* (TO-205AD)

2N2218, 2N2218A

2N2219, 2N2219A

5.0

6.0

Vdc

800

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temp. Range

-55 to +200

T_op_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

qJC

TO-5*

2N2218AL,

2N2219AL

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C above T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 17.0 mW/⁰C above T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_E= 10 mAdc

Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

V_(BR)CEO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

V_EB= 6.0 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

All Types

mAdc

hAdc

I_EBO

V_EB= 4.0 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 50 Vdc

2N2218; 2N2219

2N2218A; L; 2N2219A; L

I_CES

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N2219A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N2219	CENTRAL	功能相似	30V,800mA,800mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Current

与JAN2N2219A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N2219AL	MICROSEMI	获取价格	NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR
JAN2N2219L	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5AA,
JAN2N2221A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2221AL	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2221AUA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SMT
JAN2N2221AUB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| CHIP
JAN2N2222A	MICROSEMI	获取价格	SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
JAN2N2222A	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JAN2N2222AUA	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 4 PIN
JAN2N2222AUB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC

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