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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-206AA | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/255 |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 35 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N2222A | MICROSEMI |
完全替代  |
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N2222AUA | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 4 PIN |
|
| JAN2N2222AUB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC |
|
| JAN2N2273 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
|
| JAN2N2323 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| JAN2N2323A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| JAN2N2323AN | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| JAN2N2323AS | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| JAN2N2323N | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 50V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN |
|
| JAN2N2323S | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| JAN2N2324 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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