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RM3003S6

更新时间： 2024-11-18 18:05:03

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
12页	414K
描述
Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 3.5 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 36 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 5 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 1.2 W;Input Capacitance (Ciss) : 210 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : TSOT23-6L

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RM3003S6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	JESD-609代码：	e3
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RM3003S6 数据手册

RM3003S6

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The RM3003S6 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge. This device is suitable for

use as a Battery protection or in other Switching application.

General Features

N-Channel

N-channel

P-channel

Schematic diagram

V_DS= 30V,I_D= 3.5A

R_DS(ON)

_GS=10V

_GS=4.5V

R_DS(ON)

P-Channel

3003

V_DS= -30V,I_D= -2.7A

R_DS(ON)

_GS=-10V

_GS=-4.5V

Marking and pin Assignment

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

Halogen-free

TSOT23-6L top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000units

3003

RM3003S6

TSOT23-6L

Ø180mm

8mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25 unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

N-Channel P-Channel

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

3.5

-30

V_GS

T_A=25

T_A=70

-2.7

-2.1

-15

Continuous Drain Current

I_D

Pulsed Drain Current ^{(Note 1)}

Maximum Power Dissipation

I_DM

P_D

T_A=25

1.2

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

-55 To 150

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^(Note2)

N-Ch

P-Ch

104

2018-09/15

REV:O

12 3 4 5 6 7...12

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与RM3003S6相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM3003S6(N)	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 3.5A;Rds-on (typ) (mOhms) : 36 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM3003S6(P)	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 2.7 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 69 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM3003S6V	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 3.5A;Rds-on (typ) (mOhms) : 36 mOhms;Total Gate Charge (nQ)
RM300CA-9W	MITSUBISHI	获取价格	HIGH FREQUENCY USE INSULATED TYPE
RM300CA-9W	POWEREX	获取价格	Fast Recovery Welder Diode Module (300 Amperes/450 Volts)
RM300DG-90S	MITSUBISHI	获取价格	HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM300DY1-24S	POWEREX	获取价格	Super Fast Recovery Dual Diode Module 300 Amperes/1200 Volts
RM300HA-24F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM300N80T7	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 300 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n
RM300N85TL	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 300 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.2 mOhms;Total Gate Charge (n