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JAN2N2222AUA

更新时间： 2024-01-10 22:14:26
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 4 PIN

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JAN2N2222AUA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.16Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-CDSO-N4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/255子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

JAN2N2222AUA 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/255  
DEVICES  
LEVELS  
2N2221A  
2N2221AL  
2N2221AUA  
2N2221AUB  
2N2221AUBC *  
2N2222A  
2N2222AL  
2N2222AUA  
2N2222AUB  
2N2222AUBC *  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
* Available to JANS quality level only.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
50  
75  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
Collector Current  
800  
TO-18 (TO-206AA)  
2N2221A, 2N2222A  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
PT  
0.5  
Top, Tstg  
-65 to +200  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2N2221A, L  
2N2221AUA  
2N2221AUB, UBC  
2N2222A, L  
2N2222AUA  
2N2222AUB, UBC  
325  
210  
325  
°C/W  
RθJA  
4 PIN  
2N2221AUA, 2N2222AUA  
Note: Consult 19500/255 for thermal performance curves.  
1. Derate linearly 3.08mW/°C above TA > +37.5°C  
2. Derate linearly 4.76mW/°C above TA > +63.5°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
ICBO  
50  
Vdc  
3 PIN  
2N2221AUB, 2N2222AUB  
2N2221AUBC, 2N2222AUBC  
(UBC = Ceramic Lid Version)  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 75Vdc  
10  
10  
μAdc  
ηAdc  
V
CB = 60Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
EB = 6.0Vdc  
V
IEBO  
10  
10  
μAdc  
ηAdc  
VEB = 4.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 50Vdc  
ICES  
50  
ηAdc  
T4-LDS-0060 Rev. 2 (100247)  
Page 1 of 6  
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JAN2N2222AUA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N2222ACSM4 SEME-LAB

功能相似

 HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFAC

与JAN2N2222AUA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N2222AUB MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
JAN2N2273 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
JAN2N2323 MICROSEMI

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JAN2N2323A MICROSEMI

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JAN2N2323AN MICROSEMI

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 		暂无描述
JAN2N2323AS MICROSEMI

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JAN2N2323N MICROSEMI

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 		Silicon Controlled Rectifier, 50V V(DRM), 1 Element, TO-39, TO-39, 3 PIN
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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER

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