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AO9926A

更新时间： 2024-07-24 10:04:28
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SOP-8

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AO9926A 数据手册

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AO9926A  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
FEATURES  
Low on-resistance:VDS=20V,ID=5A,RDS(ON)≤50mΩ@VGS=4.5V  
Low gate charge and a wide gate drive range  
For parallel or bidirectional switch applications  
Surface Mount device  
SOP-8  
MECHANICAL DATA  
Case: SOP-8  
Case Material: Molded Plastic. UL flammability  
Classification Rating: 94V-0  
Weight: 0.3 grams (approximate)  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
V
V
VDS  
VGS  
±8  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
5
4.2  
A
Continuous drain current  
ID  
A
Pulsed drain current  
IDM  
PD  
20  
A
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2
W
Power dissipation  
1.28  
110  
W
Thermal resistance from Junction to ambient  
Thermal resistance from Junction to Lead  
Junction temperature  
Rθ  
JA  
°C/W  
°C/W  
°C  
°C  
Rθ  
JL  
48  
TJ  
TSTG  
150  
Storage temperature  
-55 ~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
V(BR)DSS*  
Min  
20  
Typ  
Max  
Unit  
V
μA VDS=16V,  
nA  
V
Conditions  
VGS=0V, ID=250μA  
Drain-Source breakdown voltage  
Zero gate voltage drain current  
Gate-body leakage current  
Gate-threshold voltage  
1
±100  
1
IDSS  
IGSS  
*
*
VGS=0V  
VGS=±8V  
VDS=0V,  
VGS(th)  
*
0.4  
15  
0.6  
VDS=VGS, ID=250μA  
A
On-State Drain Current  
ID(ON)  
*
VDS=5V,  
VGS=10V  
40  
56  
54  
72  
11  
50  
70  
65  
90  
GS  
D
V
=4.5V, I =5A,  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
S
V
A
pF  
pF  
pF  
Ω
VGS=4.5V, ID=5A, TJ=125°C  
Drain-source on-resistance  
RDS(ON)*  
V
V
GS  
GS  
=2.5V, I =4A  
D
=1.8V, I =2A  
D
gFS  
VSD  
IS  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Forward transconductance  
Diode forward voltage  
Diode forward current  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Gate resistance  
VDS=5V, ID=5A  
IS=1A, VGS=0V  
0.76  
1
2
436  
66  
44  
VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz  
3
VDS=0V, V =0V, f=1MHz  
GS  
5.54  
1.26  
0.52  
5
7
29  
6.2  
13.7  
3.8  
Total gate charge  
Gate-source charge  
Gate-drain charge  
Turn-on delay time  
Turn-on rise time  
Turn-off delay time  
Turn-off fall time  
Body Diode Reverse Recovery Time  
Body Diode Reverse Recovery Charge  
nC  
nC  
nC  
nS  
nS  
nS  
nS  
nS  
Qg  
VGS=4.5V,VDS=10V,ID=5A  
Qgs  
Qgd  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
VGS=5V, VDS=10V,  
RGEN=6Ω,RL=2Ω  
trr  
Qrr  
F
I =5A, dI/dt=100A/μ s  
nC IF=5A, dI/dt=100A/μ s  
*Pulse test ; Pulse width =80µs, Duty cycle ≤0.5% .  
1 / 5  
©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD  
E-mail:hkt@heketai.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AO9926B FREESCALE

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