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JAN2N2221A PDF预览

JAN2N2221A

更新时间： 2024-02-01 02:25:54
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN

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JAN2N2221A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-206AA
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/255
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

JAN2N2221A 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/255  
DEVICES  
LEVELS  
2N2221A  
2N2221AL  
2N2221AUA  
2N2221AUB  
2N2221AUBC *  
2N2222A  
2N2222AL  
2N2222AUA  
2N2222AUB  
2N2222AUBC *  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
* Available to JANS quality level only.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
50  
75  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
Collector Current  
800  
TO-18 (TO-206AA)  
2N2221A, 2N2222A  
Total Power Dissipation @ TA = +25°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
PT  
0.5  
Top, Tstg  
-65 to +200  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2N2221A, L  
2N2221AUA  
2N2221AUB, UBC  
2N2222A, L  
2N2222AUA  
2N2222AUB, UBC  
325  
210  
325  
°C/W  
RθJA  
4 PIN  
2N2221AUA, 2N2222AUA  
Note: Consult 19500/255 for thermal performance curves.  
1. Derate linearly 3.08mW/°C above TA > +37.5°C  
2. Derate linearly 4.76mW/°C above TA > +63.5°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
ICBO  
50  
Vdc  
3 PIN  
2N2221AUB, 2N2222AUB  
2N2221AUBC, 2N2222AUBC  
(UBC = Ceramic Lid Version)  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 75Vdc  
10  
10  
μAdc  
ηAdc  
V
CB = 60Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
EB = 6.0Vdc  
V
IEBO  
10  
10  
μAdc  
ηAdc  
VEB = 4.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 50Vdc  
ICES  
50  
ηAdc  
T4-LDS-0060 Rev. 2 (100247)  
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与JAN2N2221A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N2221AL MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
JAN2N2221AUA ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SMT
JAN2N2221AUB ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 800MA I(C) | CHIP
JAN2N2222A MICROSEMI

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 		SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
JAN2N2222A RAYTHEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JAN2N2222AUA MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 4 PIN
JAN2N2222AUB MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC
JAN2N2273 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
JAN2N2323 MICROSEMI

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 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER
JAN2N2323A MICROSEMI

获取价格

 		SILICON CONTROLLED RECTIFIER

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