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JAN2N2151

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-59, Metal, 2 Pin,

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JAN2N2151 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.44最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-59
JESD-30 代码：O-MUPM-D2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JAN2N2151 数据手册

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7516 Central Industrial Drive  
Riviera Beach, Florida  
33404  
PHONE: (561) 842-0305  
FAX: (561) 845-7813  
2N2151  
APPLICATIONS:  
·
·
Fast Switching  
High Frequency Switching and Amplifying  
5 Amp, 100V,  
Planar, NPN  
Power Transistors  
JAN, JANTX  
FEATURES:  
·
·
High Reliability  
Greater Gain Stability  
DESCRIPTION:  
These power transistors are produced by PPC's DOUBLE  
DIFFUSED PLANAR process. This technology produces high  
voltage devices with excellent switching speeds, frequency  
response, gain linearity, saturation voltages, high current gain,  
and safe operating areas. They are intended for use in  
Commercial, Industrial, and Military power switching, amplifier,  
and regulator applications.  
Ultrasonically bonded leads and controlled die mount  
techniques are utilized to further increase the SOA capability  
and inherent reliability of these devices. The temperature  
range to 200°C permits reliable operation in high ambients, and  
the hermetically sealed package insures maximum reliability  
and long life.  
TO-59  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL  
CHARACTERISTIC  
VALUE  
UNITS  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC*  
*
*
*
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
150  
100  
V
V
8
V
Peak Collector Current  
10  
A
IC*  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Storage Temperature  
5
2
A
IB*  
A
TSTG  
TJ*  
*
-65 to 200  
-65 to 200  
230  
°C  
°C  
°C  
Operating Junction Temperature  
Lead Temperature 1/16"  
From Case for 10 Sec.  
Power Dissipation  
*
TA = 25°C  
TC = 100°C  
PT*  
2
30  
W
W
Thermal Resistance  
Junction to Case  
3.33  
q JC  
°C/W  
* Indicates JEDEC registered data.  
MSC0942A.DOC 11-03-98  
123

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