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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1802 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 960V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| JAN2N1803 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 900V V(DRM), 1080V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
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| JAN2N1804 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A |
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| JAN2N1806 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 78.5A I(T)RMS, 70000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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| JAN2N1870A | MICROSEMI |
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SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| JAN2N1871A | MICROSEMI |
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SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| JAN2N1872A | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| JAN2N1874A | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs 1.25 Amp, Planear |
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| JAN2N1890 | MICROSEMI |
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NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N1890 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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