JAN2N1711

更新时间： 2024-01-15 09:35:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N1711 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/225F	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JAN2N1711 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 225

Devices

Qualified Level

JAN

JANTX

2N1711

2N1890

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N1711 2N1890 Unit

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

Vdc

V_CBO

V_EBO

I_C

7.0

Vdc

500

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

0.8

3.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Impedance

qJX

TO-5*

1) Derate linearly 4.57 mW/⁰C for T_A> 25⁰C

2) Derate linearly 17.2 mW/⁰C for T_C> 25⁰C

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

I_C= 100 mAdc

2N1711, S

2N1890, S

V_(BR)

100

CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

R_BE= 10 W, I_C= 100 mAdc

2N1711, S

2N1890, S

V_(BR)

CER

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 30 mAdc

2N1711, S

2N1890, S

V_(BR)

CEO

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Vdc

V_(BR)

7.0

EBO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

V_CB= 80 Vdc

hAdc

2N1711

2N1890

I_CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

I_EBO

hAdc

5.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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12 3

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JAN2N1711 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BCW66HTA	DIODES	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN,
BCW66GLT1G	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistor NPN Silicon
BCR133	INFINEON	功能相似	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir

与JAN2N1711相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N1711S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-39
JAN2N1714	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 750MA I(C) \| TO-5
JAN2N1714S	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1715	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 750MA I(C) \| TO-5
JAN2N1715S	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin
JAN2N1716	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1716S	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JAN2N1717	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 100V V(BR)CEO \| 750MA I(C) \| TO-5
JAN2N1717S	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin
JAN2N1722	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR

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