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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JANTX2N1613L
JANTX2N1613L PDF预览

JANTX2N1613L

更新时间： 2024-10-01 12:09:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 228K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N1613L 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-5
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.25
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-5JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTX2N1613L 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/181  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
2N718A  
2N1613  
2N1613L  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Min.  
30  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
75  
Vdc  
7.0  
500  
Vdc  
mAdc  
TO-18 (TO-206AA)  
2N718A  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C  
2N718A  
2N1613, L  
0.5  
0.8  
PT  
W
Total Power Dissipation  
@ TC = +25°C  
2N718A  
2N1613, L  
1.8  
3.0  
PT  
W
°C  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
RθJC  
-65 to +200  
Thermal Resistance, Junction-to-Case 2N718A  
2N1613, L  
97  
58  
°C/W  
(1) Derate linearly at 4.57 mW/°C for 2N1613, L and 2.85mW/°C for 2N718A for TA > +25°C  
(2) Derate linearly at 17.2 mW/°C for 2N1613, L and 10.3mW/°C for 2N718A for TC > +25°C  
TO-39 (TO-205AD)  
2N1613  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 100µAdc  
V(BR)CEO  
V(BR)CER  
30  
50  
Vdc  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 100µAdc, RBE = 10Ω  
Collector-Base Cutoff Current  
10  
10  
ηAdc  
µAdc  
V
CB = 60Vdc  
ICBO  
VCB = 75Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
TO-5  
2N1613L  
10  
10  
ηA dc  
µAdc  
V
V
EB = 5.0Vdc  
EB = 7.0Vdc  
IEBO  
T4-LDS-0200 Rev. 1 (110597)  
Page 1 of 4  
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JANTX2N1613L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N1613L MICROSEMI

完全替代

 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N1613 MICROSEMI

类似代替

 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
2N1613L SEME-LAB

功能相似

 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5

与JANTX2N1613L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N1711 MICROSEMI

获取价格

 		NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N1711 RAYTHEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
JANTX2N1711S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39
JANTX2N1714 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JANTX2N1714S MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JANTX2N1715 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin
JANTX2N1715S MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin
JANTX2N1716 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JANTX2N1716S MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin,
JANTX2N1717 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin

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