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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-53 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-X3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-53 | JESD-30 代码： | O-MBFM-X3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/262 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N1724 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR |
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| JANTX2N1772A | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4700mA I(T), 100V V(DRM) |
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| JANTX2N1776A | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 4700mA I(T), 300V V(DRM) |
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| JANTX2N1792 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Elemen |
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| JANTX2N1793 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Elem |
|
| JANTX2N1796 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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| JANTX2N1800 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 600V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Elem |
|
| JANTX2N1801 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 700V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
|
| JANTX2N1803 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 900V V(DRM), 1080V V(RRM), 1 Element, TO-208AD |
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| JANTX2N1804 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208A |
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