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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 25 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 110 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/219B |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | GERMANIUM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1652 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1653 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1711 | MICROSEMI |
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NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N1711 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N1711S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
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| JAN2N1714 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N1714S | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| JAN2N1715 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N1715S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin |
|
| JAN2N1716 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
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