5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/219B | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | GERMANIUM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1711 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N1711 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
|
| JAN2N1711S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
|
| JAN2N1714 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N1714S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| JAN2N1715 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N1715S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin |
|
| JAN2N1716 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| JAN2N1716S | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.75A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 3 Pin, |
|
| JAN2N1717 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
