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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.33 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1483 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N1484 | MICROSEMI |
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NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N1484 | APITECH |
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暂无描述 |
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| JAN2N1485 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-8, Metal, 3 P |
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| JAN2N1485 | MICROSEMI |
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NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N1486 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| JAN2N1487 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N1488 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
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| JAN2N1489 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, |
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| JAN2N1490 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
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