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JAN2N1483

更新时间： 2024-01-24 15:52:01
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

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JAN2N1483 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-8
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.27
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-8
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-S-19500/180D
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1.25 MHzBase Number Matches：1

JAN2N1483 数据手册

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TECHNICAL DATA  
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 207  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
2N1483  
2N1484  
2N1485  
2N1486  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N1483 2N1484 Unit  
2N1485 2N1486  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
55  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
60  
100  
12  
Collector Current -- Continuous  
Total Power Dissipation  
3.0  
@ TA = 250C (1)  
@ TC = 250C (2)  
1.75  
25  
W
W
0C  
PT  
TO-8*  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
-65 to +200  
TJ, T  
stg  
1) Derate linearly 0.010 W/0C for TA > 250C  
2) Derate linearly 0.143 W/0C for TC > 250C  
*See Appendix A for  
Package Outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Symbol  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)CEX  
Min.  
Max.  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
40  
55  
IC = 100 mAdc  
2N1483, 2N1485  
2N1484, 2N1486  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 100 mAdc  
60  
100  
2N1483, 2N1485  
2N1484, 2N1486  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
VEB = 1.5 Vdc, IC = 0.25 mAdc  
60  
100  
2N1483, 2N1485  
2N1484, 2N1486  
Collector-Base Cutoff Current  
VCB = 30 Vdc  
VCB = 50 Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
VEB = 12 Vdc  
15  
15  
mAdc  
mAdc  
2N1483, 2N1485  
2N1484, 2N1486  
ICBO  
15  
IEBO  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
1234

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JAN2N1483 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N1483 MICROSEMI

完全替代

 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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 		NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
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