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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 55 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 27 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1553A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1554A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1555A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1556A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1557A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1558A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N1559A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N1560A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N158 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 3A I(C) | TO-13 |
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| JAN2N1613 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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