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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.46 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 13 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/024D |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 0.18 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1613 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N1613 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N1613L | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N1651 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
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| JAN2N1652 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
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| JAN2N1653 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
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| JAN2N1711 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N1711 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N1711S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-39 |
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| JAN2N1714 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-5 |
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