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JAN2N1412A

更新时间: 2024-02-16 14:07:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 712K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-36

JAN2N1412A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:70 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):70 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/76C子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):0.005 MHzBase Number Matches:1

JAN2N1412A 数据手册

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