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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-5 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | BASE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 85 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/126C | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1308 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N1309 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
|
| JAN2N1358 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
|
| JAN2N1412 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36 |
|
| JAN2N1412A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-36 |
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| JAN2N1479 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| JAN2N1479 | APITECH |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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| JAN2N1480 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| JAN2N1480 | APITECH |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
|
| JAN2N1481 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, T |
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