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JAN2N1184B

更新时间: 2024-01-04 19:41:48
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其他 - ETC 晶体晶体管
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13页 666K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8

JAN2N1184B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.57
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/143B子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):0.5 MHz

JAN2N1184B 数据手册

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