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JAN2N1165

更新时间: 2024-02-20 05:58:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 390K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41

JAN2N1165 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MBPM-D2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.45最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JESD-30 代码:O-MBPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/178B子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:GERMANIUM
标称过渡频率 (fT):0.001 MHzBase Number Matches:1

JAN2N1165 数据手册

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