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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.66 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 基于收集器的最大容量： | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-205AD |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 35 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 45 ns | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N1132L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR |
|
| JAN2N1165 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41 |
|
| JAN2N1183 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1183A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1183B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1184 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
|
| JAN2N1184A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| JAN2N1184B | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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| JAN2N1302 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N1303 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 300MA I(C) | TO-5 |
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