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JAN2N1132

更新时间: 2024-01-30 18:00:21
品牌 Logo 应用领域
雷神 - RAYTHEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 108K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,

JAN2N1132 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-5
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.23
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL-19500/177F表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JAN2N1132 数据手册

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与JAN2N1132相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N1132A MOTOROLA

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600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
JAN2N1132L ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR
JAN2N1165 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41
JAN2N1183 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1183A ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1183B ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1184 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1184A ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1184B ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1302 ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5