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JAN2N1132

更新时间: 2024-11-27 20:33:15
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205AD

JAN2N1132 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.74
最大集电极电流 (IC):0.6 A基于收集器的最大容量:45 pF
集电极-发射极最大电压:35 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-205AD
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:2 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

JAN2N1132 数据手册

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与JAN2N1132相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N1132A MOTOROLA

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600mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
JAN2N1132L ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-39VAR
JAN2N1165 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-41
JAN2N1183 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1183A ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1183B ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1184 ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1184A ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1184B ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8
JAN2N1302 ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300MA I(C) | TO-5